原標題：消息稱三星1、2代3nm工藝良率僅60%、20%，年內(nèi)恐大面積更換半導體高管
IT之家11月7日消息，韓媒《時事周刊e》（Sisa Journal e）當?shù)貢r間今日報道稱，三星電子第1、2代3nm工藝（IT之家注：即SF3E-3GAE與SF3-3GAP）目前良率分別為60%和20%左右。
這一水平未達到高通、英偉達等主要潛在客戶提出的70%要求，導致三星無法在最先進制程上與臺積電爭奪訂單，進而影響了三星尖端邏輯工藝投資的收益能力。
韓媒表示，作為一家某種意義上算是IDM的企業(yè)，三星DS部的三大業(yè)務(wù)部存儲器、系統(tǒng)LSI、Foundry實際上環(huán)環(huán)相扣：
系統(tǒng)LSI設(shè)計的自家Exynos處理器如能由Foundry順利制造，則對外界證明了Foundry的技術(shù)水平，這會吸引外部客戶選擇三星邏輯代工+HBM+先進封裝“交鑰匙”方案，存儲器業(yè)務(wù)部的先進HBM內(nèi)存自然不愁銷路。
而三星電子目前未能實現(xiàn)這一良性循環(huán)，導致半導體業(yè)務(wù)整體處于危機狀態(tài)。
▲三星水原總部
韓媒認為三星電子DS部將在集團年度管理層調(diào)整中經(jīng)歷高管大洗牌，三大業(yè)務(wù)部的負責人均可能被更換。同時這一調(diào)整預計于本月內(nèi)進行，早于常例的12月初。
三星電子今年5月出人意料地在年中就更換了DS部總負責人，由全永賢接替慶桂顯。
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