廣告三星電子日前在美國(guó)硅谷舉行“2024年三星代工論壇”，表示2027年將引入尖端晶圓代工技術(shù)，推出兩種新工藝節(jié)點(diǎn)，形成包括人工智能半導(dǎo)體研發(fā)、代工生產(chǎn)、組裝在內(nèi)的全流程解決方案。
三星電子表示，目前正通過封裝晶圓代工非內(nèi)存半導(dǎo)體和高帶寬內(nèi)存的集成解決方案，研發(fā)高性能、低能耗的人工智能半導(dǎo)體產(chǎn)品，與現(xiàn)有工藝相比，從研發(fā)到生產(chǎn)的耗時(shí)可縮減約20%。具體技術(shù)路徑為，三星電子將于2027年在2納米工藝中采用背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)（制程節(jié)點(diǎn)SF2Z）。該技術(shù)可將芯片的供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，與信號(hào)電路分離，從而簡(jiǎn)化供電路徑，降低供電電路對(duì)互聯(lián)信號(hào)電路的干擾。若在2納米工藝中采用該技術(shù)，不僅能提高功率、性能和面積等參數(shù)，還可以顯著減少電壓降，從而提升高性能計(jì)算設(shè)計(jì)性能。另外，三星電子還計(jì)劃2027年把低能耗且具有高速數(shù)據(jù)處理性能的光學(xué)元件技術(shù)運(yùn)用于人工智能解決方案。
三星電子認(rèn)為，人工智能時(shí)代需要高性能且低能耗芯片。他們將通過和人工智能芯片適配度最高的環(huán)繞式柵極工藝、光學(xué)元件等技術(shù)適應(yīng)這一需求。為此，三星電子將于2025年在4納米工藝中采用“光學(xué)收縮”技術(shù)（制程節(jié)點(diǎn)SF4U）進(jìn)行量產(chǎn)，可使芯片體積變得更小。
三星電子日前在美國(guó)硅谷舉行“2024年三星代工論壇”，表示2027年將引入尖端晶圓代工技術(shù)，推出兩種新工藝節(jié)點(diǎn)，形成包括人工智能半導(dǎo)體研發(fā)、代工生產(chǎn)、組裝在內(nèi)的全流程解決方案。
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三星電子認(rèn)為，人工智能時(shí)代需要高性能且低能耗芯片。他們將通過和人工智能芯片適配度最高的環(huán)繞式柵極工藝、光學(xué)元件等技術(shù)適應(yīng)這一需求。為此，三星電子將于2025年在4納米工藝中采用“光學(xué)收縮”技術(shù)（制程節(jié)點(diǎn)SF4U）進(jìn)行量產(chǎn)，可使芯片體積變得更小。
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